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當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心TEM氮化硅薄膜窗口

TEM氮化硅薄膜窗口

產(chǎn)品簡介

與X射線用氮化硅窗口類似,透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口也使用低應(yīng)力氮化硅薄膜基底。但整體尺度更小,適合TEM裝樣的要求。窗口有單窗口和多窗口陣列等不同規(guī)格。同時SHNTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。

產(chǎn)品型號:
更新時間:2024-06-17
廠商性質(zhì):代理商
訪問量:6605
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透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口
產(chǎn)品概述:
與X射線用氮化硅窗口類似,透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口也使用低應(yīng)力氮化硅薄膜基底。但整體尺度更小,適合TEM裝樣的要求。窗口有單窗口和多窗口陣列等不同規(guī)格。同時SHNTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。

 

現(xiàn)在SHNTI可以提供透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗系列產(chǎn)品,規(guī)格如下:
外框尺寸:

  • 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:0.5 mm,薄膜厚度:50 nm)
  • 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:1.0 mm,薄膜厚度:50 nm)
  • 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:1.0 mm,薄膜厚度:100 nm)
  • 窗口類別:雙縫、九窗格(3×3陣列)

邊框厚度: 200μm、381μm。 
Si3N4薄膜厚度: 50nm、100nm
SHNTI也可以為用戶定制產(chǎn)品(30-200nm),但要100片起訂。
本產(chǎn)品為一次性產(chǎn)品,SHNTI不建議用戶重復(fù)使用,本產(chǎn)品不能進(jìn)行超聲清洗,適合化學(xué)清洗、輝光放電和等離子體清洗。

技術(shù)指標(biāo):
表面平整度:
我們認(rèn)為薄膜與其下的硅片同樣平整, TEM用氮化硅薄膜窗口的表面粗糙度為:0.6-2nm。*適用于TEM表征。

親水性
該窗格呈疏水性,如果樣品取自水懸浮液,懸浮微粒則不能均勻地分布在薄膜上。用等離子蝕刻機(jī)對薄膜進(jìn)行親水處理,可暫時獲得親水效果。雖然沒有對其使用壽命進(jìn)行過測試,但預(yù)期可以獲得與同樣處理的鍍碳TEM網(wǎng)格相當(dāng)?shù)膲勖?。我們可以生產(chǎn)此種蝕刻窗格,但無法保證其使用壽命。如果實(shí)驗(yàn)室有蝕刻工具也可對其進(jìn)行相應(yīng)的處理提高其親水性能。



溫度特性:
氮化硅薄膜窗口產(chǎn)品是耐高溫產(chǎn)品,能夠承受1000度高溫,非常適合在其表面利用CVD方法生長各種納米材料。

化學(xué)特性:
氮化硅薄膜窗口是惰性襯底。

應(yīng)用簡介和優(yōu)點(diǎn):
1
、 適合TEM、SEM、AFMXPS、EDX等的對同一區(qū)域的交叉配對表征。
2
大窗口尺寸,適合TEM大角度轉(zhuǎn)動觀察。
3
、 無碳、無雜質(zhì)的清潔TEM觀測平臺。
4
背景氮化硅無定形、無特征。
5
、 耐高溫、惰性襯底,適應(yīng)各種聚合物、納米材料、半導(dǎo)體材料、光學(xué)晶體材料和功能薄膜材料的制備環(huán)境,(薄膜直接沉積在窗口上)。
6
、 生物和濕細(xì)胞樣本的理想承載體。特別是在等離子體處理后,窗口具有很好的親水性。。
7
、 耐高溫、惰性襯底,也可以用于化學(xué)反應(yīng)和退火效應(yīng)的原位表征。
8
、 適合做為膠體、氣凝膠、有機(jī)材料和納米顆粒等的表征實(shí)驗(yàn)承載體。

氮化硅薄膜應(yīng)用范圍非常廣,甚至有時使不可能變?yōu)榭赡埽袘?yīng)用都有無氮要求(因樣本中有氮存在):
惰性基片可用于高溫環(huán)境下,通過TEM、SEMAFM(某些情況下)對反應(yīng)進(jìn)行動態(tài)觀察。
作為耐用基片,首先在TEM下,然后在SEM下對同一區(qū)域進(jìn)行匹配。
作為耐用匹配基片,對AFMTEM圖像進(jìn)行比較。
聚焦離子束(FIB)樣本的裝載,我們*使用多孔薄膜,而非不間斷薄膜。


許多研究納米微粒,特別是含氮納米微粒的人員發(fā)現(xiàn)此種薄膜窗格在他們實(shí)驗(yàn)中*。氣凝膠和干凝膠的基本組成微粒尺寸極小,此項(xiàng)研究人員也同樣會發(fā)現(xiàn)氧化硅薄膜窗格的價值。
優(yōu)點(diǎn):
• SEM
應(yīng)用中,薄膜背景不呈現(xiàn)任何結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)。
• x-
射線顯微鏡中,裝載多個分析樣的*方法。
無氮
高溫應(yīng)用,氮化硅薄膜在
1000°C高溫下仍能保持穩(wěn)定的性能。

使用前清潔:
氮化硅薄膜窗格在使用前不需進(jìn)行額外清潔。有時薄膜表面邊角處會散落個別氧化物或氮化物碎片。由于單片網(wǎng)格需要從整個硅片中分離,并對外框進(jìn)行打磨,因此這些微小碎片不可避免。盡管如此,我們相信這些碎片微粒不會對您的實(shí)驗(yàn)產(chǎn)生任何影響。

如果用戶確實(shí)需要對這些碎片進(jìn)行清理,我們建議用H2SO4 : H2O2 (1:1)溶液清潔有機(jī)物,用H2O:HCl: H2O2 (5:3:3)溶液清潔金屬。

通常不能用超聲波清洗器清潔薄膜,因超聲波可能使其粉碎性破裂。

 

 

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